| 发明名称 | 半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体基板、场效应晶体管、集成电路和半导体基板的制造方法，通过隔着绝缘膜而使基板彼此粘合，从而能够将一个基板上所形成的半导体层形成在另一个基板上，并且此时不会使该半导体层的晶体结构损伤而能够保持维持高品质的晶体结构的情况下简单地进行制造。MISFET(1)中，通过在InP基板(12)上的III-V族化合物半导体层(7)上使用ALD法来形成表面平坦的氧化膜(6)，从而仅在常温下使该氧化膜(6)和Si基板(2)粘合，就能够将这些氧化膜(6)和Si基板(2)强固地接合，因此能够将一个InP基板(12)上所形成的III-V族化合物半导体层(7)形成在另一个Si基板(2)上，并且此时不会使III-V族化合物半导体层(7)的晶体结构损伤而能够保持维持在高品质的情况下简单地进行制造。 | ||
| 申请公布号 | CN102498542A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201080038691.4 | 申请日期 | 2010.09.03 |
| 申请人 | 住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 山田永;秦雅彦;横山正史;竹中充;高木信一;安田哲二;高木秀树;卜部友二 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种半导体基板，其特征在于，基板、绝缘体层和半导体层从所述基板一侧开始按该顺序定位，所述基板和所述绝缘体层相接，且所述绝缘体层和所述半导体层相接，所述绝缘体层由非晶状金属氧化物或者非晶状金属氮化物构成，所述半导体层通过晶体生长而形成。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||