发明名称 |
压力传感器及半导体装置 |
摘要 |
本实用新型提供一种压力传感器和半导体装置,其用于由微机电技术制作的压力传感器,所述压力传感器具备:内部形成有基准压室的基板;埋入以贯通所述基板的表面与所述基准压室之间的方式而形成于所述基板的贯通孔,且密闭所述基准压室的闭塞体;在所述基板的表面与所述基准压室之间设置于所述基板内,且根据所述基板的应变变形而电阻变化的应变计。根据该结构,在基板内形成密闭的基准压力室。因而,不需要通过贴合两片基板来形成基准压室,因此能够降低成本。此外,由形成在基板内的应变计来检测基板的表面和基准压室之间的部分(受压部)所受到的压力。因而,能够使传感器小型化。 |
申请公布号 |
CN202274956U |
申请公布日期 |
2012.06.13 |
申请号 |
CN201120066855.6 |
申请日期 |
2011.03.11 |
申请人 |
罗姆股份有限公司 |
发明人 |
仲谷吾郎 |
分类号 |
G01L1/22(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I |
主分类号 |
G01L1/22(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
刘建 |
主权项 |
压力传感器,其特征在于,具备:基板,其在内部形成有基准压室;闭塞体,其埋入形成于所述基板的贯通孔,并密闭所述基准压室,所述贯通孔将所述基板的表面与所述基准压室之间贯通;应变计,其在所述基板的表面与所述基准压室之间设置于所述基板内,并根据所述基板的应变变形而使电阻变化。 |
地址 |
日本京都府 |