发明名称 一种采用激光辅助加热的激光退火方法及装置
摘要 本发明提供一种半导体生产工艺中激光退火技术范围内的一种采用激光辅助加热的激光退火方法及装置,该方法主要是采取两台激光器,一台激光器用于激光辅助加热,是半导体表面活化,为激光退火做准备工作;一台激光器用于为半导体进行激光退火。两束激光经过相关光学系统后同轴输出,照射到扫描镜上。扫描光学系统被装配在精密机械组件上由电动控制。电动控制系统采用检流计控制结构,当输入电压为-10V至+10V时,机械结构会对应偏转-20°至+20°,从而可以使对输入电压的控制转化为对机械结构转动角度的精确控制。光学镜片被固定在机械结构上,通过控制扫描光学系统的旋转角度来调节激光光束的照射位置。从而实现了激光光束在水平方向和竖直方向上的扫描。
申请公布号 CN102489876A 申请公布日期 2012.06.13
申请号 CN201110356480.1 申请日期 2011.11.11
申请人 北京中科思远光电科技有限公司 发明人 彭海波;彭俊;刘全力
分类号 B23K26/04(2006.01)I;B23K26/42(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I 主分类号 B23K26/04(2006.01)I
代理机构 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 代理人 杨小蓉;高宇
主权项 一种采用激光辅助加热的激光退火装置,该装置基于扫描式的激光退火光源实现在半导体表面指定区域的激光退火,所述装置包含:同轴光束生成单元和扫描光学系统单元;所述同轴光束生成单元,用于将辅助加热的激光光源和激光退火的退火光源采用同光轴传输;所述扫描光学系统单元,用于接收入射的同光轴光束,将同光轴光束包含的辅助加热的激光光源转化为合适大小的光斑,并将同光轴光束包含的退火光源在半导体表面的照射位置进行水平和竖直方向扫描,调整对半导体表面进行激光退火处理的位置。
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