| 发明名称 | 成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及成膜装置。在密封的处理容器(10)内使反应气体反应而在基板(S)上形成薄膜的成膜装置(1a)中，分隔壁(41)将基板(S)的上方空间在横向分割为等离子体生成空间(401)与排气空间(402)，并且从处理容器(10)的顶部向下方延伸，在其下端与基板S之间形成从等离子体生成空间(401)向排气空间(402)流动气体的缝隙。活化机构(42，43)使供给至等离子体生成空间(401)的第1反应气体活化而生成等离子体。第2反应气体供给部(411，412)向等离子体生成空间(401)的下部侧供给与第1反应气体的活性种反应而在基板上形成薄膜的第2输送气体，真空排气口(23)从比分隔壁(41)的下端高的位置对排气空间(402)进行排气。 | ||
| 申请公布号 | CN102498546A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201080041115.5 | 申请日期 | 2010.08.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 沢田郁夫;康松润;松隈正明;河西繁;森嶋雅人 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;H01L31/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李伟;舒艳君 |
| 主权项 | 一种成膜装置，在密封的处理容器内使多种反应气体反应，在基板上形成薄膜，该成膜装置具备：载置台，其被设置于所述处理容器内，且用于载置基板；分隔壁，其以从所述处理容器的顶部向下方延伸而将载置于所述载置台的基板的上方空间在横向分割为等离子体生成空间与排气空间的方式设置，在其下端与所述载置台上的基板之间形成用于从所述等离子体生成空间向排气空间流动气体的缝隙；第1反应气体供给部，其用于向所述等离子体生成空间供给第1反应气体；活化机构，其用于使被供给至所述等离子体生成空间中的第1反应气体活化而生成等离子体；第2反应气体供给部，其用于向所述等离子体生成空间内的下部侧或者比该等离子体生成空间更靠下方侧供给与第1反应气体的活性种反应而在基板上形成薄膜的第2反应气体；以及真空排气口，其用于对所述排气空间进行排气。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||