用于窄互连开口的导电结构

摘要

提供了一种具有降低的电阻的互连结构和一种形成这样的互连结构的方法。所述互连结构包括介电材料(24)，所述介电材料(24)包括在其中的至少一个开口。所述至少一个开口被填充有可选的阻挡扩散层(30)、晶粒生长促进层(32)、凝聚的镀敷籽晶层(34’)、可选的第二镀敷籽晶层和导电结构(38)。包括包含金属的导电材料(典型地为Cu)的所述导电结构具有竹节微结构和大于0.05微米的平均晶粒尺寸。在一些实施例中，所述导电结构包括具有(111)晶向的导电晶粒。

主权项

一种互连结构，其包括：介电材料，在其中包括至少一个开口；晶粒生长促进层，其位于所述至少一个开口内；凝聚的镀敷籽晶层，其位于所述晶粒生长促进层的上表面上方；以及导电结构，其位于所述至少一个开口内和所述凝聚的镀敷籽晶层的上表面的顶部上，包括包含金属的导电材料的所述导电结构具有竹节微结构和大于0.05微米的平均晶粒尺寸。