| 发明名称 | 半导体晶圆的表面处理方法、避免光刻胶残留的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体晶圆的表面处理方法，为在涂光刻胶前用显影液对半导体晶圆进行表面处理，包括：旋转喷涂显影液，浸润，用去离子水冲洗，干燥等步骤。其中，表面处理所用显影液与后续工艺中用于酸碱中和反应中的显影液是相同的。本发明具有操作简单，且易于实现的优点，并且在去除较深凹槽中的光刻胶残留方面，有显著的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN102496558A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110379499.8 | 申请日期 | 2011.11.24 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王彩虹;金乐群;胡林;赵新民;周孟兴 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体晶圆的表面处理方法，其特征在于，在涂光刻胶前用显影液对半导体晶圆进行表面处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||