| 发明名称 | ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法，首先清洗GaAs衬底，之后在HCl水溶液中浸泡3~5分钟，接着在(NH4)2S水溶液中浸泡10~40分钟，用氮气吹干GaAs衬底并移入原子层沉积反应室，在原位用金属脉冲清洗GaAs衬底。本发明在S钝化的基础上进一步在反应室原位用金属脉冲钝化砷化镓衬底表面，有效地除掉了表面的砷和镓的氧化物，形成了稳定的界面，防止了氧化物的生成，改进了栅介质薄膜与GaAs衬底之间的界面质量，降低了界面层的厚度，提高界面热稳定性，降低了缺陷电荷和界面态密度，进而明显地改进了ALD后GaAs基MOS器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102492932A | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN201110394348.X | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 李学飞;李爱东;曹燕强;吴迪 |
| 分类号 | C23C16/02(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人 | 贺翔 |
| 主权项 | 一种ALD制备GaAs基MOS器件中的原位表面钝化方法，其特征在于包括以下步骤：1）首先清洗GaAs衬底，2）之后将GaAs衬底在HCl水溶液中浸泡3~5 分钟，3）接着在15‑25%重量比的 (NH4)2S水溶液中浸泡10~40分钟，4）用氮气吹干GaAs衬底并移入原子层沉积反应室，5）在原位用金属脉冲清洗GaAs衬底。 | ||
| 地址 | 210093 江苏省南京市汉口路22号 | ||