一种改善晶硅太阳能电池片中异常片的方法

摘要

本发明属于半导体晶体硅及太阳能电池制造技术领域，公开了一种改善晶硅太阳能电池片中异常片的方法。将异常片浸没在质量浓度为1％-5％的HF酸中30秒-90秒后，用去离子水漂洗，氮气吹干即可。该方法能够有效提高弥补烧结缺陷，提高晶硅太阳能电池的光电转换效率(提高1％以上)，从而提高电池片的合格率。该方法耗时短，处理效率高，可操作性很强，成本低，不需要大型设备。

主权项

一种改善晶硅太阳能电池片中异常片的方法，其特征是，将异常片浸没在质量浓度为1％‑5％的HF酸中30秒‑90秒后，用去离子水漂洗，氮气吹干即可；所述异常片为电性能参数中串联电阻Rs大于10mΩ，填充因子FF小于75％，且光电转换效率低于17％的晶硅太阳能电池片。