单电压源假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件及制造方法

摘要

本发明公开了一种假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件(1)，其包括：半绝缘衬底(2)；在所述半绝缘衬底(2)上形成的外延衬底(3)；接触层(19)。所述接触层(19)包括：形成在肖特基层(18)上的轻掺杂接触层(20)；以及高掺杂接触层(21)，所述高掺杂接触层(21)形成在所述轻掺杂接触层(20)上并且具有高于所述轻掺杂接触层(20)的掺杂浓度。所述PHEMT功率器件(1)还包括：宽凹部(23)，所述宽凹部(23)形成为穿透所述高掺杂接触层(21)；以及窄凹部(24)，所述窄凹部(24)在所述宽凹部(23)中形成为穿透所述轻掺杂接触层(20)。栅极电极(6)形成在所述窄凹部(24)中，并且与所述肖特基层(18)肖特基接触。

主权项

一种单电压源假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)功率器件(1；1′；1″)，其包括：半绝缘衬底(2)；在所述半绝缘衬底(2)上形成的外延衬底(3)，所述外延衬底(3)包括依次层叠在所述半绝缘衬底(2)上的缓冲层(10)、超晶格层(11)、第一电子供给层(12、13)、第一隔体层(14)、电子传递层(15)、第二隔体层(16)、第二电子供给层(17)、肖特基层(18)，以及接触层(19)；源极和漏极电极(4、5)，所述源极和漏极电极(4、5)在所述接触层(19)上形成并且与所述接触层(19)欧姆接触；以及栅极电极(6)，所述栅极电极(6)在所述肖特基层(18)上形成以延伸通过所述接触层(19)；其中将所述栅极和源极电极(4、6)设计为接地，并且将所述漏极电极(5)设计为连接至电压源；所述PHEMT功率器件(1)的特征在于所述接触层(19)包括：轻掺杂接触层(20)，所述轻掺杂接触层(20)形成在所述肖特基层(18)上；高掺杂接触层(21)，所述高掺杂接触层(21)形成在所述轻掺杂接触层(20)上并且具有高于所述轻掺杂接触层(20)的掺杂浓度，所述PHEMT功率器件(1)的特征还在于：宽凹部(23)，所述宽凹部(23)形成为穿透所述高掺杂接触层(21)以暴露所述轻掺杂接触层(20)的表面；以及窄凹部(24)，所述窄凹部(24)在所述宽凹部(23)中形成为穿透所述轻掺杂接触层(20)以暴露所述肖特基层(18)的表面，其中所述栅极电极(6)形成在所述窄凹部(24)中，并且与所述肖特基层(18)肖特基接触，以从所述肖特基层(18)的暴露表面延伸通过所述轻掺杂接触层(20)和高掺杂接触层(21)；并且所述源极和漏极电极(4、5)形成在所述宽凹部(23)外部的所述高掺杂接触层(21)上，并且与所述高掺杂接触层(21)欧姆接触，使得所述宽凹部(23)被安置在所述源极和漏极电极(4、5)之间。