LDMOS及集成LDMOS器件

摘要

本实用新型公开了LDMOS及集成LDMOS器件。一种半导体器件，包括位于p型衬底10中的LDMOS 1、CMOS 2、NPN 3和埋沟电阻4。其中LDMOS 1包括n型漂移区20、p+阱接触区40、p型体区70、n+源区50、n+漏区60、栅介质层100、源极金属80、漏极金属90、场氧化层110、金属前介质120，所述n型漂移区20与所述p型体区70间无间隔，还包括至少一个p型降场层30A和至少一个p型掩埋阱30B，所述p型掩埋阱30B位于所述p型体区70下且与所述p型体区70接触，所述p型降场层30A位于所述场氧化层110下、被所述n型漂移区20包围且与所述场氧化层110间有间隔。本实用新型的LDMOS具有低导通电阻和高耐压、易于集成且整个半导体器件的制造工艺步骤简单、对设备要求不高。

主权项

一种LDMOS，包括位于p型衬底(10)中的n型漂移区(20)、p+阱接触区(40)、p型体区(70)、n+源区(50)、n+漏区(60)、栅介质层(100)、源极金属(80)、漏极金属(90)、场氧化层(110)、金属前介质(120)，所述n型漂移区(20)与所述p型体区(70)间无间隔，其特征在于，还包括至少一个p型降场层(30A)和至少一个p型掩埋阱(30B)，所述p型掩埋阱(30B)位于所述p型体区(70)下且与所述p型体区(70)接触，所述p型降场层(30A)位于所述场氧化层(110)下、被所述n型漂移区(20)包围且与所述场氧化层(110)间有间隔。