| 发明名称 | 半导体器件，制造半导体器件的方法以及溅射设备的靶 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：绝缘膜；沟槽，其形成在绝缘膜中；阻挡金属膜，其形成在沟槽的侧壁和底表面上，并且由钛(Ti)和钽(Ta)的合金构成；以及铜(Cu)布线，其堆叠在阻挡金属膜上，并且位于沟槽中。阻挡金属膜的钛浓度等于或大于0.1at％并且等于或小于14at％。 | ||
| 申请公布号 | CN101740547B | 申请公布日期 | 2012.06.13 |
| 申请号 | CN200910206179.5 | 申请日期 | 2009.10.21 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 本山幸一 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;安翔 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：绝缘膜；沟槽，其形成在所述绝缘膜中；阻挡金属膜，其形成在所述沟槽的侧壁和底表面上，并且由钛和钽的合金构成；以及铜布线，其堆叠在所述阻挡金属膜上，并且位于所述沟槽中，其中，所述阻挡金属膜的钛浓度等于或大于0.1at％并且等于或小于14at％。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||