发明名称 |
用于在加热期间控制晶圆边缘或晶圆边缘支架温度的方法、装置与系统、及具有资料之机器可读媒体 |
摘要 |
本案之实施例系有关于一基体或晶圆边缘支架,其具有之放射率大于一矽晶圆,其中该边缘支架系用于在一晶圆上或晶圆中形成电路装置的处理期间支撑该晶圆。实施例亦包括温度感测器、热传导气体喷射器、及光子能量,可被引导以在退火期间感测及控制该边缘支架及/或晶圆边缘之温度,而相较于该晶圆中心减少在边缘之温度下卷或上卷。明确地说,使用具有放射率在处理期间大于或等于该晶圆的一边缘支架,允许氦气喷射器被导向该边缘支架及/或晶圆边缘,以减少在退火期间于该晶圆边缘之温度上卷。由于来自不同处理与退火位置之晶圆会全部具有不同的放射率,使用回授回路将可使一边缘环能在不同放射率之一范围内支援晶圆的均匀退火。 |
申请公布号 |
TWI366234 |
申请公布日期 |
2012.06.11 |
申请号 |
TW094121184 |
申请日期 |
2005.06.24 |
申请人 |
英特尔公司 美国 |
发明人 |
温格 杰克;詹姆斯 罗伯特;兰伯特 艾立克J;雷纳德 强纳生;布莱恩多斯 理查;努特森 卡森L;安斯特隆 马克;桑佛德 贾斯汀 |
分类号 |
H01L21/324;H01L21/477 |
主分类号 |
H01L21/324 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |