发明名称 A1基合金溅镀靶及其制造方法
摘要 本发明是关于一种Al基合金溅镀靶,含有0.05至10原子百分比之Ni,其中当依据电子背散射绕射图案法(electron backscatter diffraction pattern method)观察该Al基合金溅镀靶之溅镀表面法线方向的结晶学配向<001>、<011>、<111>、及<311>时,该Al基合金溅镀靶符合下列条件:(1)P值对溅镀表面总面积之比例为70%或以上,其中该P值意指<001>±15°、<011>±15°、<111>±15°、及<311>±15°之面积分率的总和;(2)<011>±15°之面积分率对P值的比例为30%或以上;及(3)<111>±15°之面积分率对P值的比例为10%或以下。
申请公布号 TWI365917 申请公布日期 2012.06.11
申请号 TW096142872 申请日期 2007.11.13
申请人 神户制钢所股份有限公司 日本;钢臂功科研股份有限公司 日本 发明人 高木胜寿;得平雅也;钉宫敏洋;米田阳一郎;后藤裕史
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本