半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系揭示一种无接触侦测电流之感测器，其具有：一感测元件，其具有一磁性隧穿接面(MTJ)，及侦测电路结构，该感测元件具有一随该磁场变化之电阻，及该侦测电路结构配置成侦测流经该隧穿接面之隧穿电流。该感测元件可与记忆体元件共享一MTJ堆叠。该感测元件亦可与下一代CMOS制程(含MRAM科技)轻易整合，成为更小型，并使用较少电力。提供以下解决方案：如提供一通量集中器以增加该感测器灵敏度，及如形成L形导体元件以利用同一电流产生较高磁场。较大灵敏度能减少后处理的使用，以节省如行动装置等应用之电力。该等应用包括电流感测器、内建式电流感测器，及IDDQ及IDDT测试，甚至用于下一代CMOS制程。