发明名称 形成至少一薄膜元件之方法
摘要 本发明提供一种形成至少一薄膜元件,例如一薄膜电晶体的方法。该方法包括提供一基板以及将复数个薄膜元件层沉积到该基板上。在该复数个薄膜元件层上提供一压印的3D模板结构。该复数个薄膜元件层和该3D模板结构被蚀刻,且使至少一薄膜元件层进行底切作用。
申请公布号 TWI366271 申请公布日期 2012.06.11
申请号 TW094140933 申请日期 2005.11.22
申请人 惠普研发公司 美国 发明人 陶斯格 卡尔P;梅平;金韩俊
分类号 H01L29/786;H01L21/311;B41C3/00 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址 美国