发明名称 |
形成至少一薄膜元件之方法 |
摘要 |
本发明提供一种形成至少一薄膜元件,例如一薄膜电晶体的方法。该方法包括提供一基板以及将复数个薄膜元件层沉积到该基板上。在该复数个薄膜元件层上提供一压印的3D模板结构。该复数个薄膜元件层和该3D模板结构被蚀刻,且使至少一薄膜元件层进行底切作用。 |
申请公布号 |
TWI366271 |
申请公布日期 |
2012.06.11 |
申请号 |
TW094140933 |
申请日期 |
2005.11.22 |
申请人 |
惠普研发公司 美国 |
发明人 |
陶斯格 卡尔P;梅平;金韩俊 |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/311;B41C3/00 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |