发明名称 |
具有精确微电容值之积层电容器及其制造方法 |
摘要 |
本发明主要是具有精确微电容值之积层电容器的制造方法,首先设定两两垂直的第一、二、三方向,之后制成多数个分别包括基板及形成于基板上的导电膜的积层单元,接着沿第一方向堆叠积层单元,且每一积层单元在堆叠过程中可沿第二、三方向移动,以精确控制相邻积层单元之导电膜的投影重叠区面积,以产生精确的微电容值,之后,裁切层叠成一体的积层单元而形成积层主体,最后,形成分别与预定积层单元之导电膜体电连接的二个端电极,即制得具有精确微电容值之积层电容器,本发明还提供一种具有精确微电容值的积层电容器。 |
申请公布号 |
TWI366206 |
申请公布日期 |
2012.06.11 |
申请号 |
TW096102823 |
申请日期 |
2007.01.25 |
申请人 |
国巨股份有限公司 高雄市楠梓加工出口区西三街16号 |
发明人 |
何迦宏;李英杰;易良佑 |
分类号 |
H01G4/30;H01G4/255 |
主分类号 |
H01G4/30 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
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地址 |
高雄市楠梓加工出口区西三街16号 |