发明名称 具有精确微电容值之积层电容器及其制造方法
摘要 本发明主要是具有精确微电容值之积层电容器的制造方法,首先设定两两垂直的第一、二、三方向,之后制成多数个分别包括基板及形成于基板上的导电膜的积层单元,接着沿第一方向堆叠积层单元,且每一积层单元在堆叠过程中可沿第二、三方向移动,以精确控制相邻积层单元之导电膜的投影重叠区面积,以产生精确的微电容值,之后,裁切层叠成一体的积层单元而形成积层主体,最后,形成分别与预定积层单元之导电膜体电连接的二个端电极,即制得具有精确微电容值之积层电容器,本发明还提供一种具有精确微电容值的积层电容器。
申请公布号 TWI366206 申请公布日期 2012.06.11
申请号 TW096102823 申请日期 2007.01.25
申请人 国巨股份有限公司 高雄市楠梓加工出口区西三街16号 发明人 何迦宏;李英杰;易良佑
分类号 H01G4/30;H01G4/255 主分类号 H01G4/30
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区西三街16号