| 摘要 |
1. Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла, характеризующийся тем, что: ! - направляют сфокусированный лазерный луч на кристалл так, что фокус расположен в плоскости отделения слоя, перпендикулярной оси упомянутого луча, ! - перемещают лазерный луч с осуществлением сканирования фокусом плоскости отделения слоя в направлении от открытой боковой поверхности кристалла вглубь с формированием непрерывной прорези, ширина которой увеличивается с каждым проходом лазерного луча, ! - выполняют предыдущую операцию вплоть до отделения поверхностного слоя. ! 2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что для отделения слоя от кристалла в форме цилиндрической були сканирование плоскости отделения слоя осуществляют от боковой цилиндрической поверхности вглубь по спирали. ! 3. Способ по п.1, характеризующийся тем, что для отделения слоя от кристалла в форме параллелепипеда сканирование плоскости отделения слоя осуществляют возвратно-поступательным перемещением луча со сдвигом на шаг с формированием траектории перемещения фокуса в виде меандра. ! 4. Способ по п.1, характеризующийся тем, что кристалл или кристаллическую булю предварительно нагревают до 100-1000°С. ! 5. Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла, характеризующийся тем, что: ! - генерируют импульсное лазерное излучение, ! - направляют сфокусированный лазерный луч на кристалл так, что фокус расположен в плоскости отделения слоя, перпендикулярной оси упомянутого луча, ! - перемещают лазерный луч так, что фокус перемещается в плоскости отделения слоя с формированием неперекрывающихся локальных областей с нарушенной |
