| 摘要 |
1. Диэлектрический слой с диэлектрической проницаемостью 3,5 или меньше, содержащий диэлектрик, получаемый полимеризацией, по меньшей мере, одного twin-мономера, включающего ! a) первый мономерный фрагмент, который содержит металл или полуметалл, и ! b) второй мономерный фрагмент, который соединен с первым мономерным фрагментом химической связью, ! где полимеризация включает полимеризацию twin-мономера с разрывом указанной химической связи и образованием первого полимера, содержащего первый мономерный фрагмент, и второго полимера, содержащего второй мономерный фрагмент, и где первый и второй мономерный фрагмент полимеризуются по общему механизму. ! 2. Диэлектрический слой по п.1, где металл или полуметалл представляет собой Si, В, Ti, Zr или Hf, в особенности Si или Ti. ! 3. Диэлектрический слой по п.1, где первый полимер является главным образом неорганическим, а второй полимер является главным образом органическим. ! 4. Диэлектрический слой по п.1, где первый мономерный фрагмент и второй мономерный фрагмент полимеризуются анионно, катионно или свободно-радикально. ! 5. Диэлектрический слой по п.1, где проницаемость равна 3,0 или меньше, в особенности 2,5 или меньше. ! 6. Диэлектрический слой по п.1, где второй полимер удаляется термически, окислительно или термически и окислительно. ! 7. Диэлектрический слой по п.1, где второй мономерный фрагмент представляет собой радикал ! , ! в котором А1, А2 и А3 каждый независимо представляет собой атом водорода, линейные или разветвленные алифатические углеводородные радикалы, ароматические углеводородные радикалы или ароматическо-алифатические углеводородные радикалы. ! 8. Диэлектрический сл� |
