| 摘要 |
1. Многослойная электронная структура, содержащая: подложку, несущую по меньшей мере три проводящих слоя, причем смежные из упомянутых проводящих слоев разделены диэлектрическим слоем, первый из упомянутых проводящих слоев образует электроды стока и истока тонкопленочного транзистора (TFT) для управления пикселем оптоэлектронного прибора с активной матрицей, промежуточный второй из упомянутых проводящих слоев образует электрод затвора упомянутого транзистора и первую обкладку конденсатора для хранения заряда с целью поддержания электрического состояния упомянутого пикселя активной матрицы, а третий из упомянутых проводящих слоев образует вторую обкладку упомянутого конденсатора, при этом упомянутая вторая обкладка помещена в плане так, что она смещена в вертикальном направлении от упомянутого электрода затвора, и так, что она перекрывается в вертикальном направлении с упомянутой первой обкладкой и по меньшей мере электродом затвора другого тонкопленочного транзистора для управления соседним пикселем оптоэлектронного прибора с активной матрицей. ! 2. Многослойная электронная структура по п.1, дополнительно содержащая сквозное соединение между упомянутой второй обкладкой и контактной площадкой стока, связанной с упомянутым стоком, причем упомянутое сквозное соединение соединено практически по центру с поверхностью упомянутой контактной площадки стока. ! 3. Многослойная электронная структура по п.2, при этом упомянутое сквозное соединение расположено в плане так, чтобы проходить через упомянутую первую обкладку в вертикальном направлении. ! 4. Многослойная электронная структура по любому из пр� |
