| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 반도체 소자 및 그 제조 방법은 셀 영역의 매립형 게이트의 산화를 방지하기 위해 형성하는 실링막을 저유전 물질인 보론 질화막으로 형성함으로써, 리프레쉬 특성을 향상시키고, 공정을 단순화 시키며, 기생 캐패시턴스를 감소시켜 소자의 특성을 향상시키는 기술이다. 본 발명의 반도체 소자는 셀(Cell) 영역 및 주변회로(Peripheral Circuit) 영역을 포함하는 반도체 기판 내에 구비된 리세스와, 리세스 저부에 구비된 매립형 게이트와, 매립형 게이트 및 리세스를 포함하는 반도체 기판 전체 상부에 증착된 보론 질화막(Boron Nitride)을 포함하는 것을 특징으로 한다.</p> |
