发明名称 SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS, CONTROL METHOD OF SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS ,AND STORAGE MEDIUM
摘要 <p>제1 온도로부터 제2 온도로 제1 시간에서 온도를 변화시키는 제1 공정과, 제2 온도를 제2 시간만큼 유지하는 제2 공정과, 제2 온도로부터 제3 온도로 제3 시간에서 온도를 변화시키는 제3 공정을 포함하는 설정 온도 프로파일에 따라서 기판에 성막 처리가 실시된다. 온도-막두께-제1 관계, 실제 처리예에서의 복수 부위의 측정 막두께, 및 소정의 목표 막두께를 기초로 하여 제1 온도, 제2 온도 및 제3 온도가 결정된다. 결정된 제1 온도, 제2 온도 및 제3 온도에 대응하는 설정 온도 프로파일에 따라서 처리되는 기판의 복수 부위에서의 예상 막두께가 산출된다. 소정의 목표 막두께에 대해 예상 막두께가 소정의 허용 범위가 아닌 경우, 제1 시간, 제2 시간 및 제3 시간 중 적어도 어느 하나가 변경된다.</p>
申请公布号 KR101154757(B1) 申请公布日期 2012.06.08
申请号 KR20080105588 申请日期 2008.10.28
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;H01L21/324 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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