| 摘要 |
<p>본 발명은 종래의 경우와는 달리 플로팅 게이트를 컨트롤 게이트 주위에 둘러싸도록 배치하면, 플로팅 게이트 전극이 차지하는 채널 길이가 셀의 총 채널 길이중 1/2 이상이 되도록 형성할 수 있는 온/오프 특성이 우수한 플래시 또는 이이피롬 셀 제작방법을 제공하는 것이다. 온/오프 특성이 우수한 플래시 또는 이이피롬 셀 제작방법은 실리콘 기판 상에 웰을 형성시킨 후 컨트롤 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 컨트롤 게이트로 사용되는 다결정 실리콘을 도포하고 감광막 패턴을 사용하여 상기 컨트롤 게이트 전극을 형성시킨 후, 상기 컨트롤 게이트 전극 상에 절연막을 형성하는 단계와, 컨트롤 게이트 산화막 보다 얇게 플로팅 게이트 산화막을 형성시킨 다음 플로팅 게이트 전극으로 사용될 폴리 실리콘을 도포하는 단계와, 셀과 셀사이 그리고 로직 영역 전부가 오픈되는 감광막 패턴을 사용하여 오픈되는 영역에 존재하는 폴리 실리콘을 식각하는 단계와, 감광막 패턴이 있는 상태에서 등방성 습식 식각을 통해 셀과 셀사이에 있는 플로팅 게이트 스페이서를 식각하는 단계와, 감광막 패턴을 마스크로 사용하여 이온주입을 실행함으로써, 소오스 드레인 정션을 형성하는 단계와 층간 절연막을 도포하고, 금속컨택을 형성한 후 금속 배선을 형성시키는 단계를 포함한다.</p> |
