Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

摘要

실시 예에 따른 반도체 발광소자는, 아래에 복수의 로드가 형성된 제1반도체층; 상기 제1반도체층의 로드 사이에 형성된 에어 갭부; 상기 제1반도체층 위에 형성된 복수의 화합물 반도체층을 포함한다.