Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

摘要

이로써, 본 발명은 비아홀 입구에 펜스가 형성되는 것을 방지하면서 절연막이 잔류하여 비아홀이 형성되지 않는 문제점을 해결하여 공정의 신뢰성 및 소자의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.