| 摘要 |
<p>본 발명의 액정표시장치 및 그 제조방법은 추가적인 마스크공정 없이 저저항의 제 1 게이트 배선 상부에 클래드(clad) 구조의 제 2 게이트 배선을 형성함으로써 배선의 저저항을 구현하여 대면적의 구동회로 일체형 패널을 제작하기 위한 것으로, 제 1 영역과 제 2 영역으로 구분되는 기판을 제공하는 단계; 상기 기판의 제 1 영역과 제 2 영역에 액티브패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계; 상기 액티브패턴 상부에 저저항 도전물질인 제 1 도전물질로 제 1 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 게이트전극이 형성된 기판 전면에 현상액에 반응하지 않는 제 2 도전물질로 이루어진 도전막을 형성하는 단계; 한번의 마스크공정을 통해, 상기 제 1 영역의 도전막을 선택적으로 패터닝하여 상기 제 1 영역의 제 1 게이트전극 상부에 상기 제 2 도전물질로 제 2 게이트전극을 형성하며, 상기 제 1 영역에 n+ 불순물 이온을 도핑하여 상기 제 1 영역의 액티브패턴에 N 타입의 소오스/드레인영역을 형성하는 단계; 회절마스크를 적용한 한번의 마스크공정을 통해, 상기 제 2 영역의 도전막을 선택적으로 패터닝하여 상기 제 2 영역의 제 1 게이트전극 상부에 상기 제 2 도전물질로 제 2 게이트전극을 형성하며, 상기 제 2 영역에 p+ 불순물 이온을 도핑하여 상기 제 2 영역의 액티브패턴에 P 타입의 소오스/드레인영역을 형성하는 단계; 상기 기판 위에 제 2 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 영역에 상기 N 타입 소오스/드레인영역과 전기적으로 접속하는 소오스/드레인전극을 형성하며, 상기 제 2 영역에 상기 P 타입 소오스/드레인영역과 전기적으로 접속하는 소오스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제 2 게이트전극은 하부의 제 1 게이트전극이 도핑공정 시 현상액에 노출되지 않도록 상기 제 1 게이트전극을 감싸는 형태로 형성하는 것을 특징으로 한다.</p> |
