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<p>포토 마스크의 패턴 브리지(bridge) 결함 수정 방법을 제시한다. 본 발명에 따르면, 포토 마스크 기판 상에 위상 반전층 및 차광층을 원본 레지스트 패턴을 이용하여 1차 식각하여 차광층 패턴 및 위상 반전층 패턴을 형성하고, 패턴 브리지(bridge) 결함을 유발한 파티클(particle)을 세정한다. 1차 식각에 의해 원본 레지스트 패턴에 의해 노출된 포토 마스크 기판 부분을 채우고 원본 레지스트 패턴 부분을 노출하는 수정 레지스트 패턴을 형성한다. 수정 레지스트 패턴으로 포토 마스크 기판 부분을 보호하며 패턴 브리지 결함 부분에서 원본 레지스트 패턴에 의해 노출된 차광층 부분 및 하부의 위상 반전층 부분을 원본 레지스트 패턴을 식각 마스크로 2차 식각하여 결함을 제거한다.</p> |
