发明名称 CASCODED HIGH VOLTAGE JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要 A cascoded junction field transistor (JFET) device comprises a first stage high voltage JFET cascoded to a second stage low voltage JFET wherein one of the first and second stages JFET is connected to a drain electrode of another JFET stage.
申请公布号 US2012142149(A1) 申请公布日期 2012.06.07
申请号 US201213350740 申请日期 2012.01.14
申请人 发明人 TSUCHIKO HIDEAKI
分类号 H01L21/77 主分类号 H01L21/77
代理机构 代理人
主权项
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