| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有金属互连线的半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层；在所述介质层表面依次形成氮掺杂的碳化硅层、氧化层和硬掩膜层；干法刻蚀所述硬掩膜层、氧化层、氮掺杂的碳化硅层和介质层，在与所述金属互连线对应的位置形成开口；湿法清洗所述半导体衬底。本发明利用氮掺杂的碳化硅层来替代传统的八甲基四硅烷层，可避免氮掺杂的碳化硅层被过度腐蚀，提高了半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102487039A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010573625.9 | 申请日期 | 2010.12.03 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有金属互连线的半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成介质层；在所述介质层表面依次形成氮掺杂的碳化硅层、氧化层和硬掩膜层；干法刻蚀所述硬掩膜层、氧化层、氮掺杂的碳化硅层和介质层，在与所述金属互连线对应的位置形成开口；湿法清洗所述半导体衬底。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||