具有提高的载体迁移率的源极/漏极应力源及其制造方法

摘要

公开了可以提高载体迁移率的各种源极/漏极应力源及其制造方法。示例性的源极/漏极应力源包括设置在第二材料的衬底上方的第一材料的种子层，第一材料与第二材料不同；设置在种子层上方的弛豫的外延层；以及设置在弛豫的外延层上方的外延层。

主权项

一种半导体器件，包括：第一材料的衬底；设置在所述衬底上方的栅极堆叠件，所述栅极堆叠件插入到所述衬底的源极区域和漏极区域中；以及形成在所述源极和漏极区域中的衬底中的应变的部件，其中所述应变的部件包括：设置在所述衬底上方的第二材料的种子层，所述第二材料与所述第一材料不同，设置在所述种子层上方的弛豫的外延层，以及设置在所述弛豫的外延层上方的外延层。