| 发明名称 | 金属层的刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及金属层的刻蚀方法，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属层；用金属腐蚀液处理所述金属层；在所述金属层上形成干膜光刻胶层；图形化所述干膜光刻胶层；以图形化的干膜光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属层。与现有技术相比，本发明在金属层上形成干膜光刻胶层之前用金属腐蚀液处理金属层，可以在金属层的表面形成粗糙的微结构，从而增加干膜光刻胶在金属层上的附着强度，避免刻蚀金属层的过程中，刻蚀液进入干膜光刻胶与金属层之间而造成金属层翘起。 | ||
| 申请公布号 | CN101882596B | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN200910050989.6 | 申请日期 | 2009.05.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 梅娜;王重阳 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;C23F1/14(2006.01)I;C23F1/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 刘诚午;李丽 |
| 主权项 | 一种金属层的刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成金属层；用金属腐蚀液处理所述金属层；在所述金属层上形成干膜光刻胶层；图形化所述干膜光刻胶层；以图形化的干膜光刻胶层为掩膜，刻蚀所述金属层；其中，所述金属层为再分布金属层；所述金属腐蚀液选自磷酸、硝酸或醋酸；用金属腐蚀液处理所述金属层的时间为10秒至30秒。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||