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Integrierter Halbleiterspeicher (100, 100') – mit einem Taktanschluss (C100) zum Anlegen eines Taktsignals (CLK), – mit einem Versorgungsspannungsanschluss (V100) zum Anlegen einer externen Versorgungsspannung (Vext), – mit einem ersten steuerbaren Spannungsgenerator (181, 182, 183, 184) zur Erzeugung einer internen Betriebsspannung (VB, VPP, VBH, VBL), die als Versorgungs- oder Steuerspannung einer Schaltungskomponente (110, 120, 130, 140) des integrierten Halbleiterspeichers zur Durchführung von Lese- und Schreibzugriffen zuführbar ist, – mit einem zweiten steuerbaren Spannungsgenerator (170) zur Erzeugung einer internen Versorgungsspannung (Vint1, Vint2), – mit einem Frequenzdetektor (160) zur Detektion einer Frequenz des Taktsignals, der mit dem Taktanschluss (C100) verbunden ist, – bei dem der zweite steuerbare Spannungsgenerator (170) derart ausgebildet ist, dass er einen Pegel der internen Versorgungsspannung (Vint1, Vint2) in Abhängigkeit von der detektierten Frequenz des Taktsignals (CLK) erzeugt und der erzeugte Pegel der internen Versorgungsspannung in Abhängigkeit von dem Pegel der externen Versorgungsspannung (Vext)...
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