发明名称 |
照明源和掩模优化 |
摘要 |
一种照明源优化,通过改变照明源强度和形状以在用户所选定的分裂点处使最小ILS最大化同时使在分裂点处强度在一个小强度范围之内的像面上形成图像,来优化照明源。一种掩模优化,通过改变衍射级量级幅值及相位以在用户所选定的分裂点处使最小ILS最大化同时使在分裂点处强度在一个小强度范围之内的像面上形成图像,来优化掩模。一种优化掩模,通过设定在优化透射掩模中最小透射区域a-1及最大透射区域a+1,优化掩模可用于创建一个CPL掩模。设置成具有掩模制品最小特征尺寸的基本矩形图元被分配到定位的为最小和最大透射区,并且以所需位置为中心被集中到一个理想的位置。改变该基本图元矩形的边界被改变以匹配适合优化衍射级O(m,n)。接着便从而形成了该优化CPL掩模OCPL(x,y)。 |
申请公布号 |
CN101840163B |
申请公布日期 |
2012.06.06 |
申请号 |
CN201010158374.8 |
申请日期 |
2004.03.31 |
申请人 |
ASML蒙片工具有限公司 |
发明人 |
R·J·索查 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F1/70(2012.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种确定优化掩模的方法,包括步骤:利用用来照射所述优化掩模的照明系统的规格而确认照明强度值的预定范围;确定理想掩模的优化衍射级;基于所述确认的预定范围和理想掩模的优化衍射级获得优化透射掩模;及基于优化透射掩模确定优化掩模,其中,通过确定在照明系统的像面上形成图像的衍射级幅值和相位,来确定该理想掩模的优化衍射级,在使用者选择的分裂点处使最小照明斜率对数最大化同时使在分裂点处的照明强度在所述预定范围之内。 |
地址 |
荷兰维尔德霍芬 |