| 摘要 |
Es wird ein Halbleiterbauelement beschrieben, bei dem die Oberfläche eines Halbleiters (11) mittels einer Verdrahtung kontaktiert ist, wobei zwischen der Oberfläche des Halbleiters (11) und der Verdrahtung eine elektrisch leitfähige Schicht angeordnet ist, deren thermischer Ausdehnungskoeffizient zwischen dem des Halbleiters (11) und dem des Materials der Verdrahtung liegt. Ferner wird ein Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiters (11) offenbart, bei dem auf der Oberfläche des Halbleiters (11) zumindest teilweise eine elektrisch leitfähige Schicht angeordnet wird und dass anschließend eine Verdrahtung erfolgt, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient der elektrisch leitfähigen Schicht zwischen dem des Halbleiters (11) und dem des Materials für die Verdrahtung liegt. |
