| 发明名称 | 晶圆表面光阻去边的方法 | ||
| 摘要 | 一种晶圆表面光阻去边的方法，包括：获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边方法或/和调节构成光阑的挡光板至形成较大的光阑孔径并利用较大光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行晶圆表面光阻去边；当最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：调节构成光阑的挡光板至形成较小的光阑孔径并利用较小光阑孔径的晶圆边缘曝光法进行表面光阻去边。本发明使用光阑孔径大小可调节的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘光阻，使得所形成的Rainbow缺陷较小，且该方法简单、成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN102486991A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010571138.9 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 胡华勇 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶圆表面光阻去边的方法，其特征在于，包括：获取晶圆制造的半导体器件的最小线宽；当所述半导体器件的最小线宽大于90nm时，采用化学去边法或/和光阑孔径大小为第一孔径长度、第一孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第一宽度的光阻；当所述半导体器件的最小线宽小于或者等于90nm时，至少包括：采用光阑孔径大小为第二孔径长度、第二孔径宽度的晶圆边缘曝光法去除晶圆边缘第二宽度的光阻，其中：所述光阑孔径大小通过调整构成光阑的挡光板调节，且第一孔径长度大于第二孔径长度，第一孔径宽度大于第二孔径宽度，第一孔径宽度大于第一宽度，第二孔径宽度大于第二宽度，晶圆边缘欲去边宽度大于或等于第一宽度，晶圆边缘欲去边宽度大于第二宽度。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||