| 摘要 |
In einem Halbleitermodul gemäß der Erfindung überlappen der U-Anschluss 8 und der M-Anschluss 9 einander im Gehäuse 17 zur Verringerung der Induktivität im Gehäuse 17, um weiterhin die Größe des Dämpfungskondensators 21 zu verringern; der P-Anschluss 10, der M-Anschluss 9, der N-Anschluss 11 und der U-Anschluss 8 sind außerhalb des Gehäuses 17 in der Reihenfolge der obigen Beschreibung so angeordnet, dass der U-Anschluss 8, durch den Ströme kräftig ein- und ausfließen, von den Steuerelektroden 13 am weitesten entfernt angeordnet ist, um die Störgeräusche zu verringern, die den Steuerelektroden 13 überlagert sind; und der P-Anschluss 10, der M-Anschluss 9, der N-Anschluss 11 und der U-Anschluss 8 sind in der Reihenfolge der obigen Beschreibung ausgerichtet, um das Anbringen der externen Verbindungsschienen an ihnen zu erleichtern. Das Leistungshalbleitermodul gemäß der Erfindung erleichtert das Verringern der Verdrahtungsinduktanz innerhalb und außerhalb des Moduls, das Verringern der in die Steueranschlüsse eingeleiteten elektromagnetischen Störgeräusche und das Anbringen der externen Verdrahtungen an ihren Anschlüssen auf einfache und leichte Weise. |
