| 发明名称 | 一种具有较高载流子传输特性的TFT基板及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有较高载流子传输特性的硅薄膜及其制备方法，涉及真空镀膜技术。该硅薄膜是由非晶硅薄膜与掺杂在非晶硅薄膜中的碲化镉(CdTe)或硒化镉(CdSe)或硫化镉(CdS)等具有非线性电阻材料性质的材料组成。是采用等离子体增强化学汽相沉积技术(PECVD)来制备的。PECVD设备有多路气体接入装置，可以同时将几种气体导入到设备的反应腔体内，进行掺杂非晶硅薄膜的生长。使用本发明可保证掺杂的非晶硅薄膜致密且厚度均匀。本发明不但提高了非晶硅薄膜载流子迁移率，而且使用本发明的非晶硅薄膜来制备的薄膜晶体管(TFT)性能与低温多晶硅制备的TFT性能相当，并可以大幅度地降低TFT基板的制备成本，还简化TFT相关的制备工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101859800B | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010195770.8 | 申请日期 | 2010.06.09 |
| 申请人 | 深圳丹邦投资集团有限公司 | 发明人 | 刘萍 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种具有较高载流子传输特性的TFT基板，包括玻璃基板(1)、非晶硅薄膜(2)，其特征在于：在所述非晶硅薄膜(2)中掺杂有非线性电阻材料；所述非线性电阻材料是下述材料的一种或多种：CdS、CdSe、CdTe，所述非线性电阻材料的掺杂浓度按重量百分比是：1％‑2％。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市高新技术产业园北区郎山一路8号 | ||