发明名称 |
介电组合物 |
摘要 |
一种电子器件,例如薄膜晶体管,包括衬底和由介电组合物形成的介电层。所述介电组合物包括介电材料和低表面张力添加剂。该低表面张力添加剂使得形成具有更少针孔和更高器件成品率的薄的平滑介电层。在具体实施方案中,所述介电材料包括k较低的介电材料和k较高的介电材料。当沉积时,k较低的介电材料和k较高的介电材料形成分离相。 |
申请公布号 |
CN102487125A |
申请公布日期 |
2012.06.06 |
申请号 |
CN201110392847.5 |
申请日期 |
2011.12.01 |
申请人 |
施乐公司 |
发明人 |
吴贻良;Y·王;柳平;胡南星;A·维格勒斯沃斯 |
分类号 |
H01L51/40(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京北翔知识产权代理有限公司 11285 |
代理人 |
苏萌;钟守期 |
主权项 |
一种制作电子器件的方法,其包括:沉积介电组合物于衬底上,所述介电组合物包括介电材料和低表面张力添加剂;任选地加热该介电组合物,从而在所述衬底上形成介电层。 |
地址 |
美国纽约 |