| 发明名称 | 晶体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层、位于所述栅介质层上的伪栅极；进行离子注入，在所述伪栅极和栅介质层两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；在所述半导体衬底上形成与所述伪栅极齐平的层间介质层；利用酸性溶液，进行酸性刻蚀工艺，去除部分所述伪栅极，去除的伪栅极的厚度为第一厚度，所述第一厚度小于所述伪栅极整体厚度；利用碱性溶液，进行碱性刻蚀工艺，去除剩余的伪栅极，在所述层间介质层内形成露出所述栅介质层的沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部形成高K介质层；在所述高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极填充满所述沟槽。本发明减小了晶体管的漏电流，改善了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102487012A | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN201010571330.8 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 史运泽;徐友锋;刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I;C23F1/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅介质层、位于所述栅介质层上的伪栅极；进行离子注入，在所述伪栅极和栅介质层两侧的半导体衬底内形成源区和漏区；在所述半导体衬底上形成与所述伪栅极齐平的层间介质层；利用酸性溶液，进行酸性刻蚀工艺，去除部分所述伪栅极，去除的伪栅极的厚度为第一厚度，所述第一厚度小于所述伪栅极整体的厚度；利用碱性溶液，进行碱性刻蚀工艺，去除剩余的伪栅极，在所述层间介质层内形成露出所述栅介质层的沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部形成高K介质层；在所述高K介质层上形成金属栅极，所述金属栅极填充满所述沟槽。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||