基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器

摘要

本发明涉及MEMS传感器，具体是一种基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器。解决了现有MEMS高g加速度传感器结构不易实现水平向加速度测量、检测结果易受温度影响等问题，包括硅基框架、质量块，质量块两侧分别通过独立支撑梁、两组合梁与硅基框架固定，独立支撑梁沿质量块中心线设置，两组合梁以质量块中心线为对称轴对称设置；组合梁含检测梁、两连接梁，检测梁上设有应变压敏元件，检测梁的厚度及宽度小于连接梁；独立支撑梁、质量块、组合梁中的连接梁为等厚设置。结构合理、简单，能实现水平向加速度测量，加工工艺简单，受环境温度影响较小，在高温环境下不易失效，易于实现三轴集成，适用于测量高g值的冲击加速度。

主权项

一种基于RTS的MEMS面内高g加速度传感器，其特征在于：包括硅基框架（1）、支悬于硅基框架（1）内的质量块（2），质量块（2）一侧通过独立支撑梁（3）与硅基框架（1）固定，相对侧通过两平行设置的组合梁与硅基框架（1）固定，独立支撑梁（3）与组合梁平行，且独立支撑梁（3）沿质量块（2）中心线设置，两组合梁以质量块（2）中心线为对称轴对称设置；所述组合梁包含检测梁（5）、分别设置于检测梁（5）两端用以实现检测梁（5）与质量块（2）、硅基框架（1）固定的两连接梁（4），检测梁（5）上设有应变压敏元件（6），检测梁（5）的厚度及宽度小于连接梁（4）；独立支撑梁（3）、质量块（2）、及组合梁中的连接梁（4）为等厚设置；硅基框架（1）上设有两基准压敏元件（7），硅基框架（1）上的基准压敏元件（7）与检测梁（4）上的应变压敏元件（6）连接构成惠斯通半桥，所述基准压敏元件（7）与应变压敏元件（6）为共振隧穿结构RTS。