MOS晶体管及其制作方法

摘要

一种MOS晶体管及其制作方法。其中MOS晶体管包括：硅基底、位于硅基底上的氧化层和位于氧化层上的顶层硅，其中顶层硅由第一p型单晶硅层、第一n型单晶硅层、第二p型单晶硅层和第二n型单晶硅层组成；位于第一p型单晶硅层的第一栅极通孔；位于第二p型单晶硅层的第二栅极通孔；位于第一栅极通孔和第二栅极通孔内壁以及第二n型单晶硅层上的栅介质层和栅极；位于栅极两侧源/漏极区域内的源/漏极延伸区；位于栅极两侧源/漏极区域的源/漏极；其中，第一n型单晶硅层和第二n型单晶硅层的边角圆滑。本发明提高芯片面积的利用率，解决由于边角电流强而造成的边角效应。

主权项

一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含硅基底、位于硅基底上的氧化层和位于氧化层上的顶层硅，所述顶层硅为n型单晶硅；向顶层硅内进行第一次p型离子注入形成第一p型单晶硅层，所述第一p型单晶硅层与氧化层接触；向顶层硅内进行第二次p型离子注入形成第二p型单晶硅层，所述第一p型单晶硅层和第二p型单晶硅层之间为第一n型单晶硅层，第二p型单晶硅层上为第二n型单晶硅层；进行退火工艺后，刻蚀第二n型单晶硅层、第二p型单晶硅层、第一n型单晶硅层和第一p型单晶硅层，定义源/漏极区域；在第一p型单晶硅层中央形成第一栅极通孔，第二p型单晶硅层中央形成第二栅极通孔；进行高温处理，使第一n型单晶硅层和第二n型单晶硅层的边角圆滑；对第一p型单晶硅层、第一n型单晶硅层、第二p型单晶硅层和第二n型单晶硅层进行掺杂形成同一导电类型的单晶硅层；在第一栅极通孔和第二栅极通孔内以及源/漏极区域周围依次形成栅介质层和栅极；在栅极两侧源/漏极区域的第一p型单晶硅层、第一n型单晶硅层、第二p型单晶硅层和第二n型单晶硅层内注入离子，形成源/漏极延伸区和源/漏极。