沟槽金属氧化物半导体

摘要

采用了与沟槽金属氧化物半导体(MOS)势垒肖特基(TMBS)器件的多晶硅区域以及与单片集成的TMBS和MOSFET(SKYFET)器件中的MOS场效应晶体管(MOSFET)部分和TMBS部分的多晶硅区域的远程接触。所述多晶硅相对于相邻的台面结构是凹陷的。通过使所述多晶硅延伸至TMBS部分的有源区的外部，使得源极金属与TMBS部分的所述多晶硅区域接触。器件结构中的所述改变消除了在接触步骤之前从TMBS部分的多晶硅和硅台面结构区域除去所有氧化物的必要。因此，避免了接触金属侵入TMBS器件或SKYFET器件中的沟槽的侧壁。

主权项

一种包含沟槽金属氧化物半导体势垒肖特基器件的半导体器件，所述沟槽金属氧化物半导体势垒肖特基器件包括：在其中形成有多个第一沟槽的衬底，其中在所述第一沟槽中沉积有导电材料；和源极金属层；所述沟槽金属氧化物半导体势垒肖特基器件具有有源区，所述有源区包括在所述第一沟槽之间的区域，其中在所述有源区内，所述源极金属层与所述衬底电接触但是与布置在所述第一沟槽内的所述导电材料相隔离，其中在所述第一沟槽内的所述导电材料电耦合于所述沟槽金属氧化物半导体势垒肖特基器件的所述有源区之外的接触。