半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有至少一个的第一栅极结构，所述第二区域的半导体衬底表面形有第二栅极结构；覆盖所述半导体衬底的第一层间介质层；在所述第一层间介质层上覆盖第二层间介质层；刻蚀第一、第二层间介质层内，形成暴露第一区域的第一源极区、第一漏极区、第二区域的第二源极区、第二漏极区和第二栅极结构的多个第一接触孔；在第一接触孔底部形成金属硅化物层；在所述第二层间介质层内形成暴露第一区域的第二接触孔；在所述第一接触孔和第二接触孔内填充导电物质，形成导电插塞。本方法制造的半导体器件导电稳定性好，工艺简单。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有至少一个的第一栅极结构，所述第一栅极结构两侧形成有第一侧墙，所述第一侧墙两侧的第一区域的半导体衬底内形成有第一源极区、第一漏极区；所述第二区域的半导体衬底表面形有第二栅极结构，所述第二栅极结构两侧形成有第二侧墙，所述第二侧墙两侧的第二区域的半导体衬底内形成有第二源极区、第二漏极区；覆盖所述半导体衬底的第一层间介质层，且所述第一层间介质层与第一栅极结构和第二栅极结构齐平；在所述第一层间介质层表面形成覆盖第一区域的所述第一栅极结构和第二区域的第二栅极结构的第二层间介质层；在所述第一层间介质层和第二层间介质层内形成多个第一接触孔，所述第一接触孔暴露第一区域的第一源极区、第一漏极区、第二区域的第二源极区、第二漏极区和第二栅极结构；在第一接触孔底部形成金属硅化物层；形成金属硅化物层后，在所述第二层间介质层内形成暴露第一区域的第二接触孔；在所述第一接触孔和第二接触孔内填充导电物质，形成导电插塞。