发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Kühler (101) mit einer Hauptoberfläche, die aus einer Metallbasis (1) konstruiert ist, verbundene Schichten (3a) und (3b), die an der Metallbasis (1) durch Verbindungsschichten (2a) und (2b) befestigt sind, Isolationsschichten (4a) und (4b), die an den verbundenen Schichten (3a) und (3b) befestigt sind und die ein organisches Harz als Basismaterial enthalten, Metallschichten (5a) und (5b), die auf den Isolationsschichten (4a) und (4b) vorgesehen sind, und Halbleiterelemente (7a), (7b) und (7c), die auf den Metallschichten (5a) und (5b) vorgesehen sind. Eine gestapelte Struktur mit den verbundenen Schichten (3a) und (3b), den Isolationsschichten (4a) und (4b) und den Metallschichten (5a) und (5b) ist in Teile unterteilt, die ein oder die mehreren Halbleiterelemente (7a), (7b) und (7c) enthalten, und ist durch die Verbindungsschichten (2a) und (2b) an der Metallbasis (1) befestigt.
申请公布号 DE102011086092(A1) 申请公布日期 2012.06.06
申请号 DE201110086092 申请日期 2011.11.10
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP. 发明人 KIKUCHI, MASAO;USUI, OSAMU
分类号 H01L23/42;H05K7/20 主分类号 H01L23/42
代理机构 代理人
主权项
地址