一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体存储器技术领域，公开了一种利用HSG电子抗蚀剂的纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法，该存储器主要包括：第一导电电极、由HSQ电子束抗蚀剂经电子束曝光和显影后形成的通孔及第一阻变材料、第二阻变材料、第二金属纳米层、第三阻变材料、第三导电电极。利用HSQ电子束抗蚀剂曝光显影后留下的部分作为通孔，通孔的直径可小至纳米量级，通孔底部未完全显影掉的HSQ电子束抗蚀剂可作为阻变材料的一部分或全部。利用本发明，可获得器件面积小、产率高、性能良好的电阻转变存储器，而且这种半导体存储器易于大规模集成和实用化。

主权项

一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元，其特征在于，该存储器单元包括：一选通晶体管；以及一阻变存储器，该阻变存储器包括：选通晶体管漏极接触插塞之上的第一导电电极；第一导电电极之上的由HSQ电子束抗蚀剂经电子束曝光和显影后形成的通孔及第一阻变层；通孔及第一阻变层之上的第二阻变层；第二阻变层之上的第二金属纳米层；第二金属纳米层之上的第三阻变层；以及第三阻变层之上的第三导电电极。