| 发明名称 | 半导体器件的形成方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层和栅氧化层，形成栅极；在所述衬底和栅极上沉积具有压应力的应力层；去除所述应力层。利用本发明的形成方法制作的半导体器件，其栅极两侧的衬底表面不低于栅极下方的衬底表面，缓解了源/漏区出现凹陷的情况，改善了器件性能因此而下降的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101202232B | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN200610147321.X | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;陈海华;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成栅氧化层；在所述栅氧化层上形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层和栅氧化层，形成栅极；在所述衬底和栅极上沉积具有压应力的应力层；去除所述应力层；去除所述应力层后，在所述衬底和栅极上沉积侧壁介质层；刻蚀所述侧壁介质层，形成栅极侧壁层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||