| 发明名称 | 茋衍生物、发光元件材料、发光元件、发光器件、和电子设备 | ||
| 摘要 | 茋衍生物、发光元件材料、发光元件、发光器件、和电子设备本发明的目的是提供一种具有大能隙的新的茋衍生物。此外，本发明另一目的是提供一种具有大能隙的新的发光元件材料，其适用于发光层中的主体材料。另外，本发明另一目的是提供一种具有大能隙和电子传送性能的新的发光元件材料。本发明提供了一种由下面通式(3)所表示的茋衍生物，和一种包含由此表示的茋衍生物的发光元件材料：<img file="d061e3297220061110a000011.GIF" wi="989" he="471" />其中，n为0或以上且2或以下的整数，且m为1或以上且2或以下的整数。 | ||
| 申请公布号 | CN1958540B | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN200610143297.2 | 申请日期 | 2006.11.03 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 江川昌和;濑尾哲史 |
| 分类号 | C07C15/60(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I | 主分类号 | C07C15/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘锴;段晓玲 |
| 主权项 | 1.一种由下面结构(4)所表示的茋衍生物：<img file="FSB00000612907700011.GIF" wi="1151" he="329" /> | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||