发明名称 Dielektrische Zusammensetzung für Dünnschichttransistoren
摘要 Die Erfindung betrifft eine elektronische Vorrichtung, wie beispielsweise einen Dünnschichttransistor, umfassend ein Substrat und eine dielektrische Schicht, die aus einer dielektrischen Zusammensetzung hergestellt worden ist. Die dielektrische Zusammensetzung umfasst ein dielektrisches Material, ein Vernetzungsmittel und einen thermischen Säuregenerator. Entsprechend bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung umfasst das dielektrische Material ein dielektrisches Material mit niedrigerem k-Wert und ein dielektrisches Material mit höherem k-Wert. Das dielektrische Material mit niedrigerem k-Wert und das dielektrische Material mit höherem k-Wert bilden beim Abscheiden getrennte Phasen. Die Zugabe des thermischen Säuregenerators führt dazu, dass die dielektrische Schicht bei relativ niedrigen Temperaturen und/oder innerhalb kurzer Zeit ausgehärtet werden kann, so dass kostengünstigere Substratmaterialien verwendet werden können, die ansonsten beim Aushärten der dielektrischen Schicht verformt werden würden.
申请公布号 DE102011087561(A1) 申请公布日期 2012.06.06
申请号 DE20111087561 申请日期 2011.12.01
申请人 XEROX CORP. 发明人 WU, YILIANG;LIU, PING;WIGGELSWORTH, ANTHONY;HU, NAN-XING
分类号 H01L51/40;H01L51/30 主分类号 H01L51/40
代理机构 代理人
主权项
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