| 发明名称 | 形成半导体器件的图案的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体器件的图案的方法，包括：在底层上形成第一掩模膜和第二掩模膜；使用光致抗蚀剂掩模图案作为蚀刻掩模，部分蚀刻该第一掩模膜和第二掩模膜以在该第一掩模膜的剩余部分上形成中间掩模图案，该中间掩模图案具有凸起形状且包含第一和第二掩模膜层；在该中间掩模图案的侧壁形成第一间隙壁；使用该第一间隙壁和该中间掩模图案的第二掩模膜层作为蚀刻掩模，蚀刻该第一掩模膜的剩余部分和该中间掩模图案的第一掩模膜层，以露出该底层并形成包含第一和第二掩模膜层的掩模图案；在该掩模图案的侧壁形成第二间隙壁；以及除去该掩模图案以形成对称间隙壁图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101546694B | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN200910001020.X | 申请日期 | 2009.01.19 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 许仲君 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：在底层上形成第一掩模膜和第二掩模膜；使用光致抗蚀剂掩模图案作为蚀刻掩模，部分蚀刻该第一掩模膜和第二掩模膜以在该第一掩模膜的剩余部分上形成中间掩模图案，该中间掩模图案具有凸起形状且包含第一和第二掩模膜层；在该中间掩模图案的侧壁形成第一间隙壁；使用该第一间隙壁和该中间掩模图案的第二掩模膜层作为蚀刻掩模，蚀刻该第一掩模膜的剩余部分和该中间掩模图案的第一掩模膜层，以露出该底层并形成包含第一和第二掩模膜层的掩模图案；在该掩模图案的侧壁形成第二间隙壁；以及除去该掩模图案以形成对称间隙壁图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||