| 发明名称 | 半导体基板制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体基板制造方法，本发明的第1技术方案的半导体基板制造方法，其特征在于，该半导体基板制造方法包含：准备基底基板的准备工序；在上述基底基板上叠层至少2层多重层的叠层工序，该多重层包含剥离层及半导体层；分离上述半导体层的分离工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101248221B | 申请公布日期 | 2012.06.06 |
| 申请号 | CN200680030873.0 | 申请日期 | 2006.08.24 |
| 申请人 | 东北技术使者株式会社;古河机械金属株式会社;三菱化学株式会社;同和控股(集团)有限公司;株式会社EpiValley;伟方亮有限公司 | 发明人 | 八百隆文;曹明焕 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;张会华 |
| 主权项 | 一种半导体基板制造方法，其特征在于，该半导体基板制造方法包含：准备工序，其准备基底基板；叠层工序，其在上述基底基板上叠层多个多重层，该多个多重层分别由剥离层、半导体层以及配置在上述剥离层与上述半导体层之间的缓冲层组成；分离工序，其分离上述半导体层；上述剥离层具有金属层及金属氮化物层这两方，上述多个多重层是在上述半导体层的上表面接合上述金属层，在上述半导体层的下表面接合上述缓冲层，上述金属氮化物层配置于上述缓冲层与上述金属层之间而构成的。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||