发明名称 |
用于设计存储器件的退化技术 |
摘要 |
本发明涉及用于设计存储器件的退化技术。提供了用于由分组的存储器结构产生存储器件的实例的系统、方法和计算机程序产品。该方法包括接收表示存储器件的多个特性的输入参数的步骤,所述特性至少包括用于存储器件的行数R。之后,对该分组的存储器结构实施退化过程,以产生具有那些特性的存储器件的实例。该退化过程包括以下步骤:(i)为所述实例选择存储器组数B,其中所述数目是小于或等于由该分组的存储器结构指定的最大存储器组数的整数,并且B不限于是R的因数;(ii)在所选的所述存储器组当中划分行数R,以使在每一个存储器组中,于该存储器组中的行数是小于或等于由该分组的存储器结构指定的每一存储器组的最大行数的整数。 |
申请公布号 |
CN101136251B |
申请公布日期 |
2012.06.06 |
申请号 |
CN200710142645.9 |
申请日期 |
2007.08.20 |
申请人 |
ARM有限公司 |
发明人 |
H·U·加耶瓦;I·常;J·宽;C·皮特日克;M·-H·森 |
分类号 |
G11C29/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 |
代理人 |
李晓冬 |
主权项 |
一种由分组的存储器结构制造存储器件的实例的方法,该分组的存储器结构指定了最大存储器组数和每一存储器组的最大行数,该方法包括以下步骤:(a)接收表示所述存储器件的多个特性的输入参数,所述特性至少包括用于所述存储器件的行数R;(b)对该分组的存储器结构实施退化过程,以产生具有所述特性的存储器件的所述实例,该退化过程包括以下步骤:(i)为所述实例选择存储器组数B,其中所述存储器组数是小于或等于由该分组的存储器结构指定的最大存储器组数的整数,并且B不限于是R的因数;以及(ii)在所述步骤(b)(i)的所述存储器组当中划分行数R,以使在每一个存储器组中,该存储器组中的行数是小于或等于由该分组的存储器结构指定的每一存储器组的最大行数的整数。 |
地址 |
英国剑桥郡 |